Тест по ФМИ
(выберите и отметьте правильные ответы)
- Смещение атомов поверхностного слоя по нормали к поверхности – это...
- Метод исследования, в котором реализуется комбинация «фактор воздействия – электроны, отклик – электроны» – это...
- Метод исследования, в котором реализуется комбинация «фактор воздействия – фотоны, отклик – электроны» – это...
- Метод исследования, в котором реализуется комбинация «фактор воздействия – ионы, отклик – ионы» – это...
- Метод исследования, в котором реализуется комбинация «фактор воздействия – электростатическое поле, отклик – электроны» – это...
- Какую информацию об исследуемом образце дает метод дифракции медленных электронов?
- Какую информацию об исследуемом образце дает метод Оже-электронной спектроскопии?
- Какую информацию об исследуемом образце дает метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии?
- Какую информацию об исследуемом образце дает метод масс-спектроскопии вторичных ионов?
- В каком из методов будет более сильное разрушение поверхности?
- Формула для расчета энергии связи электрона – это...
- Какая глубина анализа в методе РФЭС?
- В каком из методов электронной спектроскопии можно определить энергию связи электрона?
- Каким методом лучше исследовать непроводящие поверхности образцов?
а) Релаксация
б) Реконструкция
в) Десорбция
Ответ: а) Релаксация
Пояснение: Релаксация – это изменение межатомных расстояний в поверхностном слое по сравнению с объемом, при котором сохраняется симметрия поверхности. Реконструкция – это изменение как межатомных расстояний, так и симметрии поверхности.
а) УФС
б) ДМЭ
в) МСВИ
г) ОЭС
Ответ: г) ОЭС
Пояснение: Оже-электронная спектроскопия (ОЭС) использует электроны для возбуждения образца, и в ответ регистрируются Оже-электроны.
а) СПЭ
б) МСВИ
в) ДМЭ
г) РФЭС
Ответ: г) РФЭС
Пояснение: Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) использует фотоны (рентгеновское излучение) для возбуждения образца, и в ответ регистрируются фотоэлектроны.
а) УФС
б) МСВИ
в) ДМЭ
г) СПЭ
Ответ: б) МСВИ
Пояснение: Масс-спектроскопия вторичных ионов (МСВИ) использует ионы для бомбардировки поверхности, и в ответ регистрируются вторичные ионы.
а) АСМ
б) СТМ
в) ДМЭ
г) РФЭС
Ответ: б) СТМ
Пояснение: Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) основана на туннельном токе между острием и образцом, который возникает под действием электростатического поля.
а) Состав поверхностного слоя
б) Расположение атомов в решетке
в) Микроструктура поверхности
Ответ: б) Расположение атомов в решетке
Пояснение: Дифракция медленных электронов (ДМЭ) используется для изучения кристаллической структуры поверхности и адсорбированных слоев.
а) Состав поверхностного слоя
б) Микроструктура поверхности
в) Расположение атомов в решетке
Ответ: а) Состав поверхностного слоя
Пояснение: Оже-электронная спектроскопия (ОЭС) позволяет определить элементный состав и химическое состояние атомов в приповерхностном слое.
а) Расположение атомов в решетке
б) Элементный состав
в) Скорость реакций на поверхности
Ответ: б) Элементный состав
Пояснение: Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) позволяет определить элементный состав, химическое состояние элементов и их концентрацию в приповерхностном слое.
а) Состав
б) Состав и распределение по глубине
в) Параметры кристаллической решетки
Ответ: б) Состав и распределение по глубине
Пояснение: Масс-спектроскопия вторичных ионов (МСВИ) позволяет проводить элементный и изотопный анализ поверхности и получать профили распределения элементов по глубине.
а) Оже-электронная спектроскопия
б) Масс-спектроскопия вторичных ионов
Ответ: б) Масс-спектроскопия вторичных ионов
Пояснение: МСВИ является деструктивным методом, так как бомбардировка поверхности ионами приводит к распылению материала образца.
а) \(E_{св} = h\nu - E_к + \varphi_{ст}\)
б) \(E_{св} = h\nu + E_к - \varphi_{ст}\)
в) \(E_{св} = h\nu - E_к - \varphi_{ст}\)
Ответ: в) \(E_{св} = h\nu - E_к - \varphi_{ст}\)
Пояснение: Это формула для расчета энергии связи электрона в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, где \(h\nu\) – энергия падающего фотона, \(E_к\) – кинетическая энергия вылетевшего электрона, а \(\varphi_{ст}\) – работа выхода спектрометра.
а) До 1 мкм
б) До 1 ангстрема
в) До 10 нм
Ответ: в) До 10 нм
Пояснение: РФЭС является поверхностно-чувствительным методом, глубина анализа которого обычно составляет несколько нанометров (до 10 нм).
а) ОЭС
б) МСВИ
в) УФС
г) РФЭС
Ответ: г) РФЭС
Пояснение: РФЭС напрямую измеряет кинетическую энергию фотоэлектронов, что позволяет рассчитать энергию связи электронов.
а) СТМ
б) РЭМ
в) АСМ
Ответ: в) АСМ
Пояснение: Атомно-силовая микроскопия (АСМ) не требует электропроводности образца, в отличие от сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и некоторых режимов растровой электронной микроскопии (РЭМ).