Какой h-параметр характеризует входное сопротивление транзистора?

Задание 4 Вопрос: Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает его входное сопротивление в схеме с общим эмиттером? Ответ: В системе h-параметров для схемы с общим эмиттером (ОЭ) входное сопротивление транзистора обозначается как \( h_{11e} \) (или в отечественной литературе \( h_{11э} \)). Пояснение: Параметр \( h_{11e} \) определяется как отношение изменения входного напряжения (напряжение база-эмиттер \( U_{be} \)) к изменению входного тока (ток базы \( I_b \)) при неизменном выходном напряжении (напряжение коллектор-эмиттер \( U_{ce} \)). Формула для расчета: \[ h_{11e} = \left. \frac{\Delta U_{be}}{\Delta I_b} \right|_{U_{ce} = const} \] Единица измерения данного параметра — Ом. Именно этот параметр характеризует сопротивление транзистора со стороны входных зажимов в режиме малого сигнала.