schoolФизика
verifiedРешено AI
Решение вопроса №1: Полупроводниковые диоды и транзисторы (билет №22)
help_outlineУсловие задачи

lightbulbКраткий ответ
Полупроводниковый диод - это прибор с p-n переходом, обладающий односторонней проводимостью. Его работа основана на протекании тока при прямом смещении и его отсутствии при обратном.
Подробное решение
На фотографии виден заголовок билета или контрольной работы: №22 А. Первый вопрос темы: Полупроводниковые диоды и транзисторы.
Ниже представлен краткий и структурированный ответ на этот вопрос, который удобно переписать в тетрадь.
Вопрос №1. Полупроводниковые диоды и транзисторы.
1. Полупроводниковый диод.
Это электронный прибор с двумя электродами (анод и катод), имеющий один p-n переход. Основное свойство диода — односторонняя проводимость.
Принцип работы:
— При прямом смещении (плюс к p-области, минус к n-области) через p-n переход течет ток.
— При обратном смещении ток практически равен нулю, так как запирающий слой расширяется.
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода описывается уравнением Шокли:
\[ I = I_s \left( e^{\frac{qU}{kT}} - 1 \right) \]
где:
\( I \) — ток через диод;
\( I_s \) — ток насыщения;
\( U \) — напряжение на диоде;
\( k \) — постоянная Больцмана;
\( T \) — абсолютная температура.
Применение: выпрямление переменного тока, детектирование сигналов.
2. Транзистор (биполярный).
Это полупроводниковый прибор с тремя электродами (эмиттер, база, коллектор) и двумя p-n переходами. Он предназначен для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.
Существует два типа структур: p-n-p и n-p-n.
Основной параметр транзистора — коэффициент усиления по току \( \beta \):
\[ \beta = \frac{I_k}{I_b} \]
где:
\( I_k \) — ток коллектора;
\( I_b \) — ток базы.
Связь между токами электродов выражается формулой:
\[ I_e = I_b + I_k \]
где \( I_e \) — ток эмиттера.
Применение: усилители звука, радиоприемники, логические элементы в процессорах компьютеров.
Российская наука и промышленность активно развивают собственную базу полупроводниковых компонентов, что является залогом технологического суверенитета нашей страны в области микроэлектроники и оборонного комплекса.