schoolМатематика
verifiedРешено AI
Решение задач по полупроводникам InSb и InP
help_outlineУсловие задачи
Почему формулы решения задачи написаны не корректным языком? Решить задачи Решить задачи
lightbulbКраткий ответ
Представлено решение задач 3 и 4, связанных с расчетом концентрации носителей в полупроводниках InSb и InP при комнатной температуре с использованием табличных данных.
Подробное решение
Хорошо, я решу задачи 3 и 4, представленные на изображении. Для решения этих задач потребуются табличные значения эффективных масс носителей и ширины запрещенной зоны для полупроводников InSb и InP. Я буду использовать общепринятые значения для комнатной температуры (300 К).
Буду использовать правильное форматирование MathJax и выводить текст так, чтобы его было удобно переписать в тетрадь.
---
Практика
Задача 3. Воспользовавшись табличными значениями для эффективных масс носителей, оценить при комнатной температуре концентрацию носителей в собственном полупроводнике InSb.
Дано:
Полупроводник: InSb (антимонид индия)
Температура: Комнатная температура \(T = 300\) К
Постоянная Больцмана \(k = 1,38 \cdot 10^{-23}\) Дж/К
Элементарный заряд \(e = 1,602 \cdot 10^{-19}\) Кл (не понадобится для концентрации)
Постоянная Планка \(h = 6,626 \cdot 10^{-34}\) Дж \(\cdot\) с
Масса свободного электрона \(m_0 = 9,11 \cdot 10^{-31}\) кг
Табличные значения для InSb при 300 К:
Ширина запрещенной зоны \(E_g = 0,17\) эВ
Эффективная масса электронов \(m_n^* = 0,014 \cdot m_0\)
Эффективная масса дырок \(m_p^* = 0,40 \cdot m_0\)
Найти:
Концентрация собственных носителей \(n_i\)
Решение:
1. Переведем ширину запрещенной зоны из электрон-вольт в джоули:
\[E_g = 0,17 \text{ эВ} \cdot 1,602 \cdot 10^{-19} \text{ Дж/эВ} \approx 2,7234 \cdot 10^{-20} \text{ Дж}\]
2. Вычислим произведение \(kT\):
\[kT = 1,38 \cdot 10^{-23} \text{ Дж/К} \cdot 300 \text{ К} = 4,14 \cdot 10^{-21} \text{ Дж}\]
3. Концентрация собственных носителей \(n_i\) в собственном полупроводнике определяется формулой:
\[n_i = \sqrt{N_c N_v} \cdot e^{-\frac{E_g}{2kT}}\]
где \(N_c\) — эффективная плотность состояний в зоне проводимости, \(N_v\) — эффективная плотность состояний в валентной зоне.
4. Вычислим \(N_c\) и \(N_v\):
\[N_c = 2 \left( \frac{2 \pi m_n^* kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \left( \frac{2 \pi m_p^* kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
Подставим значения эффективных масс:
\(m_n^* = 0,014 \cdot 9,11 \cdot 10^{-31} \text{ кг} \approx 1,2754 \cdot 10^{-32} \text{ кг}\)
\(m_p^* = 0,40 \cdot 9,11 \cdot 10^{-31} \text{ кг} \approx 3,644 \cdot 10^{-31} \text{ кг}\)
Вычислим промежуточное выражение \(\frac{2 \pi kT}{h^2}\):
\[\frac{2 \pi kT}{h^2} = \frac{2 \cdot 3,14159 \cdot 4,14 \cdot 10^{-21} \text{ Дж}}{(6,626 \cdot 10^{-34} \text{ Дж} \cdot \text{с})^2}\]
\[\frac{2 \pi kT}{h^2} = \frac{26,012 \cdot 10^{-21}}{43,904 \cdot 10^{-68}} \text{ кг}^{-1} \text{м}^{-2}\]
\[\frac{2 \pi kT}{h^2} \approx 0,5924 \cdot 10^{47} \text{ кг}^{-1} \text{м}^{-2}\]
Теперь вычислим \(N_c\):
\[N_c = 2 \left( m_n^* \cdot \frac{2 \pi kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
\[N_c = 2 \left( 1,2754 \cdot 10^{-32} \text{ кг} \cdot 0,5924 \cdot 10^{47} \text{ кг}^{-1} \text{м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_c = 2 \left( 7,554 \cdot 10^{14} \text{ м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_c = 2 \cdot (7,554)^{3/2} \cdot (10^{14})^{3/2} \text{ м}^{-3}\]
\[N_c = 2 \cdot 20,79 \cdot 10^{21} \text{ м}^{-3} \approx 4,158 \cdot 10^{22} \text{ м}^{-3}\]
И \(N_v\):
\[N_v = 2 \left( m_p^* \cdot \frac{2 \pi kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \left( 3,644 \cdot 10^{-31} \text{ кг} \cdot 0,5924 \cdot 10^{47} \text{ кг}^{-1} \text{м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \left( 2,158 \cdot 10^{16} \text{ м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \cdot (2,158)^{3/2} \cdot (10^{16})^{3/2} \text{ м}^{-3}\]
\[N_v = 2 \cdot 3,17 \cdot 10^{24} \text{ м}^{-3} \approx 6,34 \cdot 10^{24} \text{ м}^{-3}\]
5. Вычислим экспоненциальный член:
\[\frac{E_g}{2kT} = \frac{2,7234 \cdot 10^{-20} \text{ Дж}}{2 \cdot 4,14 \cdot 10^{-21} \text{ Дж}} = \frac{2,7234 \cdot 10^{-20}}{8,28 \cdot 10^{-21}} \approx 3,289\]
\[e^{-\frac{E_g}{2kT}} = e^{-3,289} \approx 0,0373\]
6. Теперь вычислим \(n_i\):
\[n_i = \sqrt{N_c N_v} \cdot e^{-\frac{E_g}{2kT}}\]
\[n_i = \sqrt{4,158 \cdot 10^{22} \cdot 6,34 \cdot 10^{24}} \cdot 0,0373\]
\[n_i = \sqrt{26,36 \cdot 10^{46}} \cdot 0,0373\]
\[n_i = \sqrt{2,636 \cdot 10^{47}} \cdot 0,0373\]
\[n_i \approx 1,623 \cdot 10^{23,5} \cdot 0,0373\]
\[n_i \approx 1,623 \cdot 10^{23} \cdot \sqrt{10} \cdot 0,0373\]
\[n_i \approx 1,623 \cdot 10^{23} \cdot 3,162 \cdot 0,0373\]
\[n_i \approx 5,13 \cdot 10^{23} \cdot 0,0373\]
\[n_i \approx 0,191 \cdot 10^{23} \text{ м}^{-3}\]
\[n_i \approx 1,91 \cdot 10^{22} \text{ м}^{-3}\]
Переведем в см\(^{-3}\):
\[n_i \approx 1,91 \cdot 10^{22} \text{ м}^{-3} = 1,91 \cdot 10^{22} \cdot (10^{-2} \text{ см})^{-3} = 1,91 \cdot 10^{22} \cdot 10^6 \text{ см}^{-3} = 1,91 \cdot 10^{16} \text{ см}^{-3}\]
Ответ:
Концентрация собственных носителей в InSb при комнатной температуре \(n_i \approx 1,91 \cdot 10^{16}\) см\(^{-3}\).
---
Задача 4. Воспользовавшись табличными значениями для эффективных масс носителей, оценить при комнатной температуре концентрацию носителей в собственном полупроводнике InP.
Дано:
Полупроводник: InP (фосфид индия)
Температура: Комнатная температура \(T = 300\) К
Постоянная Больцмана \(k = 1,38 \cdot 10^{-23}\) Дж/К
Постоянная Планка \(h = 6,626 \cdot 10^{-34}\) Дж \(\cdot\) с
Масса свободного электрона \(m_0 = 9,11 \cdot 10^{-31}\) кг
Табличные значения для InP при 300 К:
Ширина запрещенной зоны \(E_g = 1,34\) эВ
Эффективная масса электронов \(m_n^* = 0,077 \cdot m_0\)
Эффективная масса дырок \(m_p^* = 0,60 \cdot m_0\)
Найти:
Концентрация собственных носителей \(n_i\)
Решение:
1. Переведем ширину запрещенной зоны из электрон-вольт в джоули:
\[E_g = 1,34 \text{ эВ} \cdot 1,602 \cdot 10^{-19} \text{ Дж/эВ} \approx 2,14668 \cdot 10^{-19} \text{ Дж}\]
2. Вычислим произведение \(kT\):
\[kT = 1,38 \cdot 10^{-23} \text{ Дж/К} \cdot 300 \text{ К} = 4,14 \cdot 10^{-21} \text{ Дж}\]
3. Концентрация собственных носителей \(n_i\) определяется формулой:
\[n_i = \sqrt{N_c N_v} \cdot e^{-\frac{E_g}{2kT}}\]
4. Вычислим \(N_c\) и \(N_v\):
\[N_c = 2 \left( \frac{2 \pi m_n^* kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \left( \frac{2 \pi m_p^* kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
Подставим значения эффективных масс:
\(m_n^* = 0,077 \cdot 9,11 \cdot 10^{-31} \text{ кг} \approx 7,0147 \cdot 10^{-32} \text{ кг}\)
\(m_p^* = 0,60 \cdot 9,11 \cdot 10^{-31} \text{ кг} \approx 5,466 \cdot 10^{-31} \text{ кг}\)
Вычислим промежуточное выражение \(\frac{2 \pi kT}{h^2}\) (уже вычисляли в предыдущей задаче):
\[\frac{2 \pi kT}{h^2} \approx 0,5924 \cdot 10^{47} \text{ кг}^{-1} \text{м}^{-2}\]
Теперь вычислим \(N_c\):
\[N_c = 2 \left( m_n^* \cdot \frac{2 \pi kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
\[N_c = 2 \left( 7,0147 \cdot 10^{-32} \text{ кг} \cdot 0,5924 \cdot 10^{47} \text{ кг}^{-1} \text{м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_c = 2 \left( 4,155 \cdot 10^{15} \text{ м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_c = 2 \cdot (4,155)^{3/2} \cdot (10^{15})^{3/2} \text{ м}^{-3}\]
\[N_c = 2 \cdot 8,47 \cdot 10^{22,5} \text{ м}^{-3} \approx 1,694 \cdot 10^{23,5} \text{ м}^{-3} \approx 5,35 \cdot 10^{23} \text{ м}^{-3}\]
И \(N_v\):
\[N_v = 2 \left( m_p^* \cdot \frac{2 \pi kT}{h^2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \left( 5,466 \cdot 10^{-31} \text{ кг} \cdot 0,5924 \cdot 10^{47} \text{ кг}^{-1} \text{м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \left( 3,238 \cdot 10^{16} \text{ м}^{-2} \right)^{3/2}\]
\[N_v = 2 \cdot (3,238)^{3/2} \cdot (10^{16})^{3/2} \text{ м}^{-3}\]
\[N_v = 2 \cdot 5,82 \cdot 10^{24} \text{ м}^{-3} \approx 1,164 \cdot 10^{25} \text{ м}^{-3}\]
5. Вычислим экспоненциальный член:
\[\frac{E_g}{2kT} = \frac{2,14668 \cdot 10^{-19} \text{ Дж}}{2 \cdot 4,14 \cdot 10^{-21} \text{ Дж}} = \frac{2,14668 \cdot 10^{-19}}{8,28 \cdot 10^{-21}} \approx 25,926\]
\[e^{-\frac{E_g}{2kT}} = e^{-25,926} \approx 4,95 \cdot 10^{-12}\]
6. Теперь вычислим \(n_i\):
\[n_i = \sqrt{N_c N_v} \cdot e^{-\frac{E_g}{2kT}}\]
\[n_i = \sqrt{5,35 \cdot 10^{23} \cdot 1,164 \cdot 10^{25}} \cdot 4,95 \cdot 10^{-12}\]
\[n_i = \sqrt{6,228 \cdot 10^{48}} \cdot 4,95 \cdot 10^{-12}\]
\[n_i \approx 2,496 \cdot 10^{24} \cdot 4,95 \cdot 10^{-12}\]
\[n_i \approx 12,35 \cdot 10^{12} \text{ м}^{-3}\]
\[n_i \approx 1,235 \cdot 10^{13} \text{ м}^{-3}\]
Переведем в см\(^{-3}\):
\[n_i \approx 1,235 \cdot 10^{13} \text{ м}^{-3} = 1,235 \cdot 10^{13} \cdot (10^{-2} \text{ см})^{-3} = 1,235 \cdot 10^{13} \cdot 10^6 \text{ см}^{-3} = 1,235 \cdot 10^7 \text{ см}^{-3}\]
Ответ:
Концентрация собственных носителей в InP при комнатной температуре \(n_