Решение задачи: Анализ ВАХ полупроводниковых приборов

Для решения данной задачи проанализируем вид вольт-амперных характеристик (ВАХ) различных силовых полупроводниковых приборов на начальном участке (в области проводимости). На графике представлены зависимости тока \( I \) от падения напряжения на приборе \( U \). 1. Кривая 1: Имеет пологий наклон, который начинается практически из начала координат. Это характерно для полевых транзисторов с изолированным затвором (ПТИЗ, они же MOSFET). Их канал в открытом состоянии ведет себя как активное сопротивление, поэтому зависимость близка к линейной, но с ростом тока сопротивление (и падение напряжения) растет быстрее. 2. Кривая 2: Имеет характерный «порог» (смещение) по напряжению (около \( 0.7 - 1.0 \) В), после которого ток начинает резко расти. Это ВАХ биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ, он же IGBT). Он сочетает в себе свойства полевого транзистора на входе и биполярного на выходе, поэтому имеет пороговое напряжение открытого \( p-n \) перехода. 3. Кривая 3: Имеет самый крутой наклон и минимальное падение напряжения при больших токах. Это характерно для обычного биполярного транзистора (БТ) в режиме насыщения, который обладает наилучшими показателями проводимости среди представленных приборов при больших мощностях. Сопоставим наши выводы с вариантами ответов: 1 — ПТИЗ (MOSFET) 2 — БТИЗ (IGBT) 3 — БТ (Биполярный транзистор) Правильный ответ: 1-ПТИЗ, 2-БТИЗ, 3-БТ