Анализ физической структуры полупроводникового прибора

Для решения этой задачи проанализируем физическую структуру полупроводникового прибора, представленную на чертеже. 1. Основные элементы: Мы видим три основных электрода — Сток, Исток и Затвор, а также четвертый вывод — Подложка. Это характерные признаки полевого транзистора. 2. Изоляция затвора: Затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика (\(SiO_2\) — диоксид кремния). Это говорит о том, что перед нами МДП-структура (Металл-Диэлектрик-Полупроводник) или МОП-структура. 3. Наличие канала: На рисунке четко обозначена область, подписанная как «Канал (кремний)», которая физически существует между областями истока и стока (\(n^+\)) еще до подачи напряжения на затвор. 4. Тип проводимости: Подложка выполнена из полупроводника \(p\)-типа, а исток, сток и канал — из полупроводника \(n\)-типа. Поскольку канал уже сформирован технологически, такой транзистор называется транзистором со встроенным каналом. Вывод: На рисунке изображена структура МОП-транзистора (или МДП-транзистора) с встроенным каналом \(n\)-типа. Правильный ответ (выберите из предложенных в тесте вариантов наиболее подходящий по смыслу): МДП-транзистора со встроенным каналом.