Решение задач по силовой электронике - ответы на тест

Ниже представлены ответы на заключительную часть теста по силовой электронике. Записи оформлены для удобного переноса в школьную тетрадь. Вопрос 29. Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются: Ответ: параллельно силовому ключу. Вопрос 30. Для включения тиристора SCR необходимо: Ответ: подать импульс управления на управляющий электрод. Вопрос 31. К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся: Ответ: максимально допустимый ток коллектора. Вопрос 32. Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются: Ответ: низкими значениями обратного напряжения и обратного тока. Вопрос 33. Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами: Ответ: меньшее напряжение в открытом состоянии. Вопрос 34. Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами: Ответ: повреждение силового ключа (так как это следствие, а не физический эффект-причина). Вопрос 37. Быстродействие IGBT транзистора: Ответ: ниже быстродействия полевых транзисторов. Вопрос 38. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ): Ответ: в шесть раз превышает частоту питающей сети. Формула: \( f_{ЗГ} = 6 \cdot f_{сети} \). Вопрос 39. В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p типа переходы смещаются: Ответ: коллектор-база — в прямом направлении, эмиттер-база — в обратном направлении. Вопрос 40. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является: Ответ: выпрямитель. Вопрос 41. В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на: Ответ: затвор.